9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXTP19040CGQ-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXTP19040CGQ-7参考价格为0.18020美元。Diodes Incorporated ZXTP19040CGQ-7封装/规格：PWR低SAT晶体管SOT223。您可以下载ZXTP19040CGQ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXTP19020CFFTA是TRANS PNP 20V 5A SOT23F-3，包括ZXTP19020系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001721盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于SOT-23-3扁平引线，以及表面安装安装类型，该装置也可用作SOT-23F供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为1.5W，该设备具有晶体管型PNP，集电器Ic最大值为5A，集电器-发射极击穿最大值为20V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@100mA，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为135mV@500mA，5A，集电器截止最大值为50nA（ICBO），频率转换为200MHz，Pd功耗为2000mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为-20 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为40 mV，集电极基极电压VCBO为-25 V，发射极基极电压VEBO为-7 V，最大直流集电极电流为-5 A，增益带宽乘积fT为200 MHz，连续集电极电流是-5 A，直流集电极基极增益hfe Min在-5 A时为110，在-2 V时为100 mA，直流电流增益hfe Max为500。
ZXTP19020DZTA是TRANS PNP 20V 6A SOT89，包括0.001834盎司单位重量，它们设计用于PNP晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于ZXTP190，具有4460 mW等Pd功率耗散功能，包装设计用于卷筒，以及SOT-89封装盒，该设备也可以用作SMD/SMT安装类型，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为6 a，增益带宽积fT为176 MHz，发射极基极电压VEBO为7 V，直流电流增益hFE Max为300，直流集电极基极增益hFE Min为300，在2 V时为100 mA，在2 a时为200，并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为20V，集电极基极电压VCBO为25V。
ZXTP19020DGTA是TRANS PNP 20V 8A SOT223，包括25 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在275 mV集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-辐射极电压VCEO Max如数据表注释所示，用于20 V，提供配置功能，如单直流集电极基极增益hfe Min，该器件还可以用作7V发射极基极电压VEBO。此外，增益带宽产品fT为176 MHz，该器件的最大直流集电极电流为8 A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为SMD/SMT，封装外壳为SOT-223，封装为卷轴式，Pd功耗为5300 mW，系列为ZXTP19020，晶体管极性为PNP，单位重量为0.000282盎司。
ZXTP19020DFFTA是TRANS PNP 20V 5.5A SOT23F-3，包括ZXTP19系列，它们设计用于SOT-23F封装盒，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供配置功能，如单芯，封装设计用于卷筒，以及PNP晶体管极性，该器件还可以用作7 V发射极基极电压VEBO。此外，最大直流集电极电流为5.5 A，该设备在100 mA时在2 V时提供300，在2 A时提供200，在2 V 85时提供5.5 A，在2伏时提供25，在10 A时提供10 V直流集电极基本增益hfe Min，该设备具有300的直流电流增益hfe Max，集电极基本电压VCBO为25 V，Pd功耗为2000 mW，集电极-发射极电压VCEO Max为20 V，增益带宽乘积fT为176 MHz，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C。
