封装在SOT223中的这种新型低饱和NPN晶体管概述了其极低的导通状态损耗，非常适合用于DC DC电路和各种驱动和电源管理功能。
ZXTN19020DGTA
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 9 A 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 3 W 特征频率: 160MHz 供应商设备包装: SOT-223-3
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.22889 | 6.22889 |
| 10+ | 5.47563 | 54.75632 |
| 100+ | 4.19581 | 419.58120 |
| 500+ | 3.31666 | 1658.33450 |
| 1000+ | 2.65336 | 2653.36400 |
| 2000+ | 2.40457 | 4809.14000 |
| 5000+ | 2.34670 | 11733.50000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥6.22889
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.23
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 晶体管类别 NPN
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至261-4，至261AA
- 供应商设备包装 SOT-223-3
- 集电极击穿电压 20伏
- 集电极最大截止电流 50nA (ICBO)
- 最大功率 3 W
- 最小直流增益 300 @ 100毫安, 2V
- 特征频率 160MHz
- 最大集电极电流 (Ic) 9 A
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@450毫安，9A
ZXTN19020DGTA 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | ZXTN5551ZTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 160伏 最大功率: 1.2瓦 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: SOT-89-3 | ¥1.10556 |
 | ZXTP4003GTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 2 W 供应商设备包装: SOT-89-3 | ¥2.06372 |
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 | ZXTN25015DFHTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | TRANS NPN 15V 5A SOT23-3 | ¥1.66985 |
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 | ZXTR2012K-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 输出类别: 固定的 输出配置: 阳性的 稳压器数量: one 供应商设备包装: TO-252-3 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥4.85274 |
 | ZXTR2112F-7-52 | Transistor Array SOT23 T&R 3K | ¥0.00 | |
| ZXTR2105F-7-52 | Transistor Array SOT23 T&R 3K | ¥0.00 |
ZXTN19020DGTA所属分类：分立双极结型晶体管，ZXTN19020DGTA 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ZXTN19020DGTA价格参考￥6.228894，你可以下载 ZXTN19020DGTA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ZXTN19020DGTA规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
