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ZXTP19100CGTA是TRANS PNP 100V 2A SOT223,包括ZXTP191系列,它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000282盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装安装类型,该设备也可以用作SOT-223供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备以3W功率最大值提供,该设备具有晶体管型PNP,集电器Ic最大值为2A,集电器-发射极击穿最大值为100V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@100mA,2V,Vce饱和最大值Ib Ic为295mV@200mA,2A,集电器截止最大值为50nA(ICBO),频率转换为142MHz,Pd功耗为5300mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO Max为-100 V,晶体管极性为PNP,集电极/发射极饱和电压为-130 mV,集电极基极电压VCBO为-110 V,发射极基极电压VEBO为-7V,最大直流集电极电流为-2A,增益带宽乘积fT为142MHz,连续集电极电流是-2A,直流集电极基极增益hfe Min在-2V时-2A时为20,直流电流增益hfe Max在-2V下-100mA时为500。
ZXTP19100CFFTA是TRANS PNP 100V 2A SOT23F-3,包括100V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在275mV@200mA、2A Vce饱和最大值Ib Ic下工作,晶体管类型如数据表注释所示,用于PNP,提供晶体管极性功能,如PNP,供应商设备包设计为在SOT-23F以及ZXTP19系列中工作,该器件也可以用作1.5W最大功率。此外,Pd功耗为2000 mW,该器件采用Digi-ReelR替代封装封装,该器件具有SOT-23-3封装盒扁平引线,安装方式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,其最低工作温度范围为-55℃,其最大工作温度范围为+150℃,最大直流集电极电流为2A,增益带宽积fT为142 MHz,频率转换为142MHz,发射极基极电压VEBO为7 V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@100mA,2V,直流电增益hFE最大值为200,并且DC集电极基极增益hfe Min在100mA时在2V时为200,在1A时为70,在2A时为20,在2A下为2,在2V下为20,并且集电极Ic Max为2A,集电极截止最大值为50nA(ICBO),并且配置为单,集电极-发射极电压VCEO Max为100 V,集电极基电压VCBO为110 V。
ZXTP19100CZTA是TRANS PNP 100V 2A SOT89,包括-110 V集电极基极电压VCBO,它们设计为在-220 mV集电极-发射极饱和电压下工作,集电极-发射器电压VCEO Max如数据表注释所示,用于-100 V,提供配置功能,直流集电极基极增益hfe Min设计为在100 mA、2 V、70 A、1 A、2 V和2 A时工作,以及200直流电流增益hfe Max,该器件也可以用作-7 V发射极基极电压VEBO。此外,增益带宽产品fT为142 MHz,该器件的最大直流集电极电流为-2A,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,安装类型为SMD/SMT,封装外壳为SOT-89-3,封装为卷轴式,Pd功耗为4460 mW,系列为ZXTP191,晶体管极性为PNP,单位重量为0.004603盎司。
ZXTP19060CZTA是TRANS PNP 60V 4.5A SOT89,包括ZXTP190系列,它们设计用于SOT-89封装盒,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供了配置功能,如单芯,封装设计用于卷筒,以及PNP晶体管极性,该设备也可以用作7 V发射极基极电压VEBO。此外,集电极-发射极电压VCEO Max为60 V,该器件以60 V集电极基极电压VCBO提供,该器件具有4460 mW的Pd功耗,最大直流集电极电流为4.5 a,在2 V时100 mA时,直流集电极基基增益hfe Min为200,在2 a时2 V时1 a时,2 V时2 V 25时4.5 a时,直流电流增益hfe Max为200,增益带宽乘积fT为180 MHz,单位重量为0.001834盎司,最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃。