9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXTP2012ZQTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXTP2012ZQTA参考价格为0.43884美元。Diodes Incorporated ZXTP2012ZQTA包装/规格：TRANS PNP 60V 4.3A SOT89。您可以下载ZXTP2012ZQTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXTP2012GTA是TRANS PNP 60V 5.5A SOT223，包括ZXTP2012系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-223供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备以3W功率最大值提供，该设备具有晶体管型PNP，集电器Ic最大值为5.5A，集电器发射极击穿最大值为60V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@2A，1V，Vce饱和最大值Ib Ic为250mV@500mA，5A，集电器截止最大值为20nA（ICBO），频率转换为120MHz，Pd功耗为3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-60 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-195 mV，集电极基极电压VCBO为-100 V，并且发射极基极电压VEBO为7V，最大DC集电极电流为5.5A，增益带宽乘积fT为120MHz，连续集电极电流是-5.5A，并且DC集电极基极增益hfe Min在1mA时为100，在1V时为100。
ZXTP2012ASTZ是双极晶体管-BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN，包括PNP晶体管极性，它们设计用于ZXTP20系列，Pd功耗如数据表注释所示，用于1000 mW，提供卷轴等封装功能，包装盒设计用于E线，以及通孔安装样式，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为3.5 A，该器件具有120 MHz的增益带宽乘积fT，发射极基极电压VEBO为7 V，直流电流增益hFE Max为100，10 mA时为1 V，直流集电极基极增益hFE Min为100，并且该配置是单的，并且集电极-发射极电压VCEO Max是60V，集电极-基极电压VCBO是100V。
ZXTP2012G，带有ZETEX制造的电路图。ZXTP2012G采用SOT-223封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
ZXTP2012Z，带有ZETEX制造的EDA/CAD模型。ZXTP2012Z采用SOT-89封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
