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ZXTP19100CGTA是TRANS PNP 100V 2A SOT223，包括ZXTP191系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-223供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备以3W功率最大值提供，该设备具有晶体管型PNP，集电器Ic最大值为2A，集电器-发射极击穿最大值为100V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@100mA，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为295mV@200mA，2A，集电器截止最大值为50nA（ICBO），频率转换为142MHz，Pd功耗为5300mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-100 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-130 mV，集电极基极电压VCBO为-110 V，发射极基极电压VEBO为-7V，最大直流集电极电流为-2A，增益带宽乘积fT为142MHz，连续集电极电流是-2A，直流集电极基极增益hfe Min在-2V时-2A时为20，直流电流增益hfe Max在-2V下-100mA时为500。
ZXTP2008GTA是TRANS PNP 30V 5.5A SOT223，包括30V集电极-发射极击穿最大值，其设计工作电压为210mV@500mA，5.5A Vce饱和最大值Ib Ic，单位重量如数据表注释所示，用于0.000282 oz，提供PNP等晶体管类型功能，晶体管极性设计用于PNP，以及SOT-223供应商设备包，该设备也可以用作ZXTP2008系列。此外，功率最大值为3W，该器件提供3 W Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-261-4、TO-261AA，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为5.5A，增益带宽积fT为110MHz，频率转换为110MHz；发射极基极电压VEBO为7V；直流电流增益hFE Min Ic Vce为100@1A、1V，直流电流增益h FE Max为300；直流集电极基极增益hFE Min为100，集电极Ic Max为5.5A；集电极截止电流最大值为20nA（ICBO），连续集电极电流为-5.5A，配置为单集电极-发射极电压VCEO Max为30V，集电极基极电压VCBO为-50V。
ZXTP19100CZTA是TRANS PNP 100V 2A SOT89，包括-110 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在-220 mV集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-发射器电压VCEO Max如数据表注释所示，用于-100 V，提供配置功能，直流集电极基极增益hfe Min设计为在100 mA、2 V、70 A、1 A、2 V和2 A时工作，以及200直流电流增益hfe Max，该器件也可以用作-7 V发射极基极电压VEBO。此外，增益带宽产品fT为142 MHz，该器件的最大直流集电极电流为-2A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为SMD/SMT，封装外壳为SOT-89-3，封装为卷轴式，Pd功耗为4460 mW，系列为ZXTP191，晶体管极性为PNP，单位重量为0.004603盎司。
ZXTP2006E6TA是TRANS PNP 20V 3.5A SOT23-6，包括ZXTP200系列，它们设计用于SOT-23-6封装盒，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供配置功能，如单芯，封装设计用于卷筒，以及PNP晶体管极性，该器件还可用于900 DC电流增益hFE Max。此外，发射极基极电压VEBO为7.5 V，该器件提供300 DC集电极基极增益hfe Min，该器件具有3.5 a的最大DC集电极电流，集电极基电压VCBO为25 V，增益带宽乘积fT为110 MHz，Pd功耗为1.1 W，单位重量为0.000529 oz，连续集电极电流为-3.5 a，集电极-发射极电压VCEO Max为-20 V，集电极-发射器饱和电压为-110 mV。
