9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FJZ733GTF，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FJZ733GTF参考价格为0.286美元。onsemi FJZ733GTF包装/规格：TRANS PNP 50V 0.15A SOT623F。您可以下载FJZ733GTF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FJZ594JBTF是JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于SOT-623F封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOT-623 F，FET类型设计用于N通道，以及100mW最大功率，该器件也可以用作20V电压击穿V BRGSS。此外，漏电流Idss Vds Vgs=0为150μA@5V，该器件提供1mA漏电流Id Max，该器件具有600mV@1μA电压切断Vgs关断Id，输入电容Ciss Vds为3.5pF@5V。
FJZ594JCTF是JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F，包括600mV@1μA电压切断VGS关断Id，它们设计用于20V电压击穿V BRGSS，数据表中显示了用于SOT-623F的供应商设备包，提供功率最大功能，如100mW，包装设计用于磁带和卷轴（TR），以及SOT-623 F包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，输入电容Cis-Vds为3.5pF@5V，该器件为N沟道FET型，该器件具有150μa@5V的漏电流Ids-Vds Vgs=0，漏电流Id Max为1mA。
FJZ594JTF是JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F，包括1mA漏电流Id Max，设计用于150μa@5V漏电流Idss Vds Vgs=0，数据表中显示了用于N通道的FET类型，提供输入电容Cis Vds功能，如3.5pF@5V，安装类型设计用于表面安装，以及SOT-623F封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，最大功率为100mW，该设备在SOT-623F供应商设备包中提供，该设备具有20V的电压击穿V BRGSS，电压切断VGS关闭Id为600mV@1μa。
