BDV65B

Name: BDV65B
Brand: 安盛美 (onsemi)
SKU: 7107653-BDV65B
Price: 2.301316 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:晶体管类别: NPN-达林顿最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 100伏最大功率: 125瓦供应商设备包装: SOT-93
品牌: 安盛美 (onsemi)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 1

库存: 9000
单价: ¥2.30132
数量:
- +
总计: ¥2.30

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

制造厂商安盛美 (onsemi)
特征频率 -
安装类别通孔
晶体管类别 NPN-达林顿
集电极击穿电压 100伏
工作温度 -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
最大集电极电流 (Ic) 10A
部件状态过时的
集电极最大截止电流 1毫安
最大功率 125瓦
包装/外壳至218-3
最小直流增益 1000@5A，4V
最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 2V@20毫安，5A
供应商设备包装 SOT-93

BDV65B 产品详情

10A、100V NPN双极功率晶体管用作互补通用放大器应用中的输出器件。BDV65B（NPN）和BDV64B（PNP）是互补器件。

特色

高直流电流增益HFE=1000（最小值）@5 Adc
带有内置基极-发射极分流电阻器的单片结构
这些设备采用无铅包装。本规范适用于标准和无铅设备。请访问我们的网站www.onsemi.com以获取特定的无铅可订购零件号，或联系您当地的ON Semiconductor销售办事处或代表。

BDV65B 相关器件

型号	制造商	描述	价格
BDV65	NTE电子 (NTE)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 12A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 125瓦特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-218	¥19.9904
BDV64	NTE电子 (NTE)	晶体管类别: 即插即用最大集电极电流 (Ic): 12A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 125瓦特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-218	¥20.56984
BDV64BG	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: PNP-达林顿最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 100伏最大功率: 125瓦供应商设备包装: TO-247-3	¥35.2592
BDV64B	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: PNP-达林顿最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 100伏最大功率: 125瓦供应商设备包装: SOT-93	¥6.95318
BDV65B	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: NPN-达林顿最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 100伏最大功率: 125瓦供应商设备包装: SOT-93	¥2.30132
BDV65BG	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: NPN-达林顿最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 100伏最大功率: 125瓦供应商设备包装: TO-247-3	¥14.14572
BDV64	中央半导体 (Central)	晶体管类别: 即插即用最大集电极电流 (Ic): 12A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 125瓦特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-218	¥0.53598
BDV64A	中央半导体 (Central)	晶体管类别: 即插即用最大集电极电流 (Ic): 12A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 125瓦特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-218	¥1.85418
BDV65	中央半导体 (Central)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 12A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 125瓦特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-218	¥2.39016
BDV65A	中央半导体 (Central)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 12A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 125瓦特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-218	¥3.48756