特色
- 高直流电流增益HFE=1000（最小值）@5 Adc
- 带有内置基极-发射极分流电阻器的单片结构
- 这些设备采用无铅包装。本规范适用于标准和无铅设备。请访问我们的网站www.onsemi.com以获取特定的无铅可订购零件号，或联系您当地的ON Semiconductor销售办事处或代表。
BDV64B
- 描述:晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 12A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 125瓦 特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-218
- 品牌: 中央半导体 (Central)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥4.40368
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.40
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规格参数
- 晶体管类别 即插即用
- 安装类别 通孔
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) -
- 集电极最大截止电流 -
- 集电极击穿电压 100伏
- 工作温度 -
- 制造厂商 中央半导体 (Central)
- 部件状态 过时的
- 特征频率 60MHz
- 最大集电极电流 (Ic) 12A
- 最大功率 125瓦
- 包装/外壳 至218-3
- 供应商设备包装 TO-218
- 最小直流增益 1000@5A，4V
BDV64B 产品详情
10A、100V NPN双极功率晶体管用作互补通用放大器应用中的输出器件。BDV65B（NPN）和BDV64B（PNP）是互补器件。
BDV64B 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BDV65 | NTE电子 (NTE) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 12A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 125瓦 特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-218 | ¥19.9904 |
 | BDV64 | NTE电子 (NTE) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 12A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 125瓦 特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-218 | ¥20.56984 |
 | BDV64BG | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: PNP-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: TO-247-3 | ¥35.2592 |
 | BDV64B | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: PNP-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: SOT-93 | ¥6.95318 |
 | BDV65B | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: SOT-93 | ¥2.30132 |
 | BDV65BG | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: TO-247-3 | ¥14.14572 |
| BDV64 | 中央半导体 (Central) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 12A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 125瓦 特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-218 | ¥0.53598 |
| BDV64A | 中央半导体 (Central) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 12A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 125瓦 特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-218 | ¥1.85418 |
| BDV65 | 中央半导体 (Central) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 12A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 125瓦 特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-218 | ¥2.39016 |
| BDV65A | 中央半导体 (Central) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 12A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 125瓦 特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-218 | ¥3.48756 |
BDV64B所属分类：分立双极结型晶体管，BDV64B 由 中央半导体 (Central) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BDV64B价格参考￥4.403683，你可以下载 BDV64B中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BDV64B规格参数、现货库存、封装信息等信息！
中央半导体 (Central)
自1974年以来，Central Semiconductor一直在全球制造用于电子产品的创新分立半导体。目前，设备包括标准和定制小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFET、二极管、整流器、保护设备、限流...
