英飞凌的一系列双极结晶体管配备了集成电阻器，允许设备直接从数字源驱动，而无需额外的组件。双电阻器件有一个串联输入电阻加上一个连接在晶体管基极和发射极之间的电阻。
特色
- 开关电路、逆变器、接口电路、驱动电路
- 内置偏置电阻器（R1=2.2 kΩ，R2=47 kΩ）
- BCR108S：一个多芯片封装中具有良好匹配的两个内部隔离晶体管
- BCR108S：有关卷筒方向，请参阅以下包装信息
- 无铅（符合RoHS）包装
- 符合AEC Q101
BCR108WH6433
- 描述:晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 15000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 8172+ | 0.28971 | 2367.55915 |
- 库存: 40000
- 单价: ¥0.14486
-
数量:
- +
- 总计: ¥4,345.74
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN-预偏置
- 集电极击穿电压 50 V
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 500A, 10毫安
- 安装类别 表面安装
- 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
- 发射极电阻 (R2) 47 kOhms
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 基极电阻 (R1) 2.2千欧姆
- 最小直流增益 70 @ 5毫安, 5V
- 集电极最大截止电流 100nA（ICBO）
- 特征频率 170兆赫
- 最大功率 250毫瓦
- 包装/外壳 SC-70，SOT-323
- 供应商设备包装 PG-SOT323-3
BCR108WH6433 产品详情
英飞凌双电阻数字晶体管
BCR108WH6433 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BCR9 | 美国斯旺斯特龙工具 (Swanstrom) | PLIER CURVED NOSE RELIEVED GRIP | ¥719.66664 |
| BCR9-G | 美国斯旺斯特龙工具 (Swanstrom) | GRIPPER LARGE BRONZE CURVED NOSE | ¥859.37009 |
| BCR1500BKMAHWS | 昂斯特罗姆 (Vishay Electro-Films) | RES 15 OHM 1/4W 10% 0202 | ¥77.37735 |
| BCR6800BGMAKWS | 昂斯特罗姆 (Vishay Electro-Films) | RES 68 OHM 1/4W 2% BACK-C CHIP | ¥80.38533 |
| BCR3320AFCGHWS | 昂斯特罗姆 (Vishay Electro-Films) | RES SMD 332 OHM 1% 1/4W 0202 | ¥111.57543 |
| BCR3FM-12RB#BB0 | 瑞萨电子 (Renesas) | BCR3FM-12RB - 600V 3A TRIAC | ¥6.37332 |
| BCR16CM-12LA#B00 | 瑞萨电子 (Renesas) | BCR16CM-12LA - MEDIUM POWER TRIA | ¥10.92215 |
| BCR25KR-12LB#B00 | 瑞萨电子 (Renesas) | BCR25KR-12LB - MEDIUM POWER TRIA | ¥36.75953 |
| BCR5242-AR | 欧姆龙 (Omron) | 种类: 条形码阅读器 传感器型号: 电荷耦合器件 扫描速度: 120次扫描/s 安装距离范围: 35.0毫米 光源: 集成（红色） | ¥17,246.01188 |
| BCR8KM-12LA-1AR#X2 | 瑞萨电子 (Renesas) | BCR28M-12LA - 8A MEDIUM POWER TR | ¥7.39174 |
BCR108WH6433所属分类：单个预偏置双极晶体管，BCR108WH6433 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BCR108WH6433价格参考￥0.144858，你可以下载 BCR108WH6433中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BCR108WH6433规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
