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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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操作
BCR108WH6327
BCR108WH6327
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3

¥0.14486

44750

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR185E6327
BCR185E6327
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR

¥0.14486

41000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR108WH6433
BCR108WH6433
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3

¥0.14486

40000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR192WH6327
BCR192WH6327
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3

¥0.14486

35965

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR158WH6327
BCR158WH6327
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3

¥0.14486

33000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR183WH6327
BCR183WH6327
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3

¥0.14486

33000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR142WH6327
BCR142WH6327
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3

¥0.14486

27000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR198TE6327
BCR198TE6327
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR

¥0.15038

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,255.76000

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BCR135E6433
BCR135E6433
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23-3-11

¥0.14486

20000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR116E6327HTSA1
BCR116E6327HTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥1.73830

132630

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.73830

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BCR135E6327HTSA1
BCR135E6327HTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥1.73830

57097

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.73830

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BCR129FE6327
BCR129FE6327
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR

¥0.21729

18000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,448.60720

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BCR133E6327HTSA1
BCR133E6327HTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 130兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥1.73830

23761

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.73830

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BCR158E6327HTSA1
BCR158E6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.35190

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,055.68800

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BCR583E6327
BCR583E6327
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR

¥0.28972

1015547

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,234.57951

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BCR573E6327
BCR573E6327
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR

¥0.28972

40451

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,234.57951

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BCR523E6327HTSA1
BCR523E6327HTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 330毫瓦 特征频率: 100兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥3.18688

31801

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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BCR198E6327HTSA1
BCR198E6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 190兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥1.73830

4125

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.73830

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BCR555E6327HTSA1
BCR555E6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 330毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥3.18688

5435

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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BCR583E6327HTSA1
BCR583E6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 330毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥3.69388

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.69388

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