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BCR135E6433

  • 描述:晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23-3-11
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 15000

数量 单价 合计
9616+ 0.21728 2089.43179
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    - +
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 晶体管类别 NPN-预偏置
  • 集电极击穿电压 50 V
  • 基极电阻 (R1) 10千欧姆
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 500A, 10毫安
  • 最大功率 200毫瓦
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
  • 发射极电阻 (R2) 47 kOhms
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最小直流增益 70 @ 5毫安, 5V
  • 集电极最大截止电流 100nA(ICBO)
  • 特征频率 150兆赫
  • 供应商设备包装 PG-SOT23-3-11

BCR135E6433 产品详情

NPN硅数字晶体管

特色

  • 开关电路、逆变器、接口电路驱动电路
  • 内置偏置电阻器(R1=10 kΩ,R2=47 kΩ)
  • BCR135S:一个多芯片封装中具有良好匹配的两个内部隔离晶体管
  • BCR135S:有关卷筒方向,请参阅以下包装信息
  • 无铅(符合RoHS)包装
  • 符合AEC Q101
BCR135E6433所属分类:单个预偏置双极晶体管,BCR135E6433 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BCR135E6433价格参考¥0.144858,你可以下载 BCR135E6433中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BCR135E6433规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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