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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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BCR553E6327HTSA1
BCR553E6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 330毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥4.86587

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2-3 工作日

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合计: ¥87,585.73200

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BCR555E6433HTMA1
BCR555E6433HTMA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 330毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.28175

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5-7 工作日

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合计: ¥1,811.08257

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BCR573E6433HTMA1
BCR573E6433HTMA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 330毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.61506

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2-3 工作日

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合计: ¥4,743.95778

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BCR521E6327HTSA1
BCR521E6327HTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 330毫瓦 特征频率: 100兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥3.69388

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5-7 工作日

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合计: ¥3.69388

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BCR573E6327HTSA1
BCR573E6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 330毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.28972

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5-7 工作日

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合计: ¥0.28972

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BCR108WE6327BTSA1
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.66587

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.66587

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BCR112WE6327BTSA1
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 140兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.76547

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.76547

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BCR116WE6327BTSA1
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.15035

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.15035

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BCR119WE6327HTSA1
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.00019

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.00019

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BCR129WE6327HTSA1
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.84167

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.84167

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BCR133WE6327HTSA1
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 130兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.02849

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.02849

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BCR135WE6327BTSA1
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥2.04250

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.04250

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BCR141WE6327HTSA1
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 130兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.36937

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.36937

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BCR142B6327HTLA1
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥1.53550

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.53550

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BCR142WE6327HTSA1
BCR142WE6327HTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.10092

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.10092

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BCR148WE6327BTSA1
BCR148WE6327BTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 100兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.81690

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.81690

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BCR158WE6327HTSA1
BCR158WE6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.38212

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.38212

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BCR166B6327HTLA1
BCR166B6327HTLA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 160兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.71751

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.71751

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BCR166WE6327HTSA1
BCR166WE6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 160兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.12908

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.12908

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BCR169WE6327HTSA1
BCR169WE6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.04364

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合计: ¥1.04364

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