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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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BCR196WH6327XTSA1
BCR196WH6327XTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 70 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.14486

240000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR166E6327
BCR166E6327
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 160兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23-3-11

¥0.23395

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥456.89654

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BCR198WH6327XTSA1
BCR198WH6327XTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 190兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.39836

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥14,340.96000

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BCR185WH6327XTSA1
BCR185WH6327XTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥3.04202

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.04202

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BCR158W
BCR158W
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3

¥0.15038

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥281.97000

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BCR148WH6327
BCR148WH6327
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 100兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3

¥0.14486

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR196WE6327
BCR196WE6327
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 70 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3

¥0.15038

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,255.76000

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BCR166W
BCR166W
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 160兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3

¥0.21729

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,932.33329

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BCR142E6327HTSA1
BCR142E6327HTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥1.73830

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.73830

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BCR108E6327HTSA1
BCR108E6327HTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥1.73830

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.73830

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BCR503E6327HTSA1
BCR503E6327HTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 330毫瓦 特征频率: 100兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥3.18688

2955

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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BCR148E6327HTSA1
BCR148E6327HTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 100兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥1.73830

3481

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.73830

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BCR185WE6327BTSA1
BCR185WE6327BTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.24611

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.24611

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BCR108E6433HTMA1
BCR108E6433HTMA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.33897

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥13,558.72000

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BCR116E6433HTMA1
BCR116E6433HTMA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.33897

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥13,558.72000

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BCR119E6327HTSA1
BCR119E6327HTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.14486

33000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR129E6327HTSA1
BCR129E6327HTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.14486

171000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR135E6433HTMA1
BCR135E6433HTMA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.33897

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥13,558.72000

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BCR141E6433HTMA1
BCR141E6433HTMA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 130兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.14486

80000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR191WE6327HTSA1
BCR191WE6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.45130

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.45130

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