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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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BCR183E6327HTSA1
BCR183E6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥1.73830

35788

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.73830

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BCR533E6327HTSA1
BCR533E6327HTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 330毫瓦 特征频率: 100兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.57296

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.57296

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BCR185WE6327
BCR185WE6327
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR

¥0.15038

0

2-3 工作日

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合计: ¥2,255.76000

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BCR505E6327HTSA1
BCR505E6327HTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 330毫瓦 特征频率: 100兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥3.18688

30

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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BCR512E6327HTSA1
BCR512E6327HTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 330毫瓦 特征频率: 100兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥3.18688

5998

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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BCR129WH6327
BCR129WH6327
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3

¥0.14486

268000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR146E6327
BCR146E6327
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR

¥0.14486

152000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR119WH6327
BCR119WH6327
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3

¥0.14486

108000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR191E6327
BCR191E6327
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR

¥0.14486

74044

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR133WH6327
BCR133WH6327
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 130兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3

¥0.14486

65595

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR196WH6327
BCR196WH6327
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 70 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3

¥0.14486

63000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR196E6327
BCR196E6327
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 70 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23-3-11

¥0.14486

60000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR185WH6327
BCR185WH6327
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR

¥0.14486

53635

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR108WH6327XTSA1
BCR108WH6327XTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.14486

105000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR108WH6433XTMA1
BCR108WH6433XTMA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.39836

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥15,934.40000

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BCR112WH6327XTSA1
BCR112WH6327XTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 140兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.14486

48000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR116WH6327XTSA1
BCR116WH6327XTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.39836

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥14,340.96000

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BCR119WH6327XTSA1
BCR119WH6327XTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.41355

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥6,203.22000

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BCR129WH6327XTSA1
BCR129WH6327XTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.14486

249000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR133WH6327XTSA1
BCR133WH6327XTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 130兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.14486

15000

5-7 工作日

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合计: ¥2,172.87000

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