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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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BCR162E6327HTSA1
BCR162E6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.14486

288000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR166E6433HTMA1
BCR166E6433HTMA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 160兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.35190

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,278.44000

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BCR169E6327HTSA1
BCR169E6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.14486

555000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR183E6433HTMA1
BCR183E6433HTMA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.18107

10000

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,716.09500

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BCR185E6433HTMA1
BCR185E6433HTMA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.33897

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥13,558.72000

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BCR192WE6327HTSA1
BCR192WE6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.83742

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.83742

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BCR192E6327HTSA1
BCR192E6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.35190

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,360.34334

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BCR196E6327HTSA1
BCR196E6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 70 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.14486

63000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR198E6433HTMA1
BCR198E6433HTMA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 190兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.14486

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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BCR148E6433HTMA1
BCR148E6433HTMA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 100兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.33897

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,389.68000

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BCR196WE6327HTSA1
BCR196WE6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 70 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.66587

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.66587

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BCR133E6433HTMA1
BCR133E6433HTMA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 130兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥2.53502

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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BCR198B6327HTLA1
BCR198B6327HTLA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 190兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥1.87638

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.87638

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BCR141E6327HTSA1
BCR141E6327HTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 130兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥2.53502

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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BCR146E6327HTSA1
BCR146E6327HTSA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 70 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.22453

8900

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.22453

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BCR166E6327HTSA1
BCR166E6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 160兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥2.53502

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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BCR185E6327HTSA1
BCR185E6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.14486

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.14486

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BCR198WE6327BTSA1
BCR198WE6327BTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 190兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.76757

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.76757

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BCR191E6327HTSA1
BCR191E6327HTSA1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.12385

85

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12385

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BCR523E6433HTMA1
BCR523E6433HTMA1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 330毫瓦 特征频率: 100兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23

¥0.59247

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥11,849.38000

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