NPN硅数字晶体管
特色
- 开关电路、逆变器、接口电路、驱动电路
- 内置偏置电阻器（R1=2.2 kΩ，R2=47 kΩ）
- BCR108S：一个多芯片封装中具有良好匹配的两个内部隔离晶体管
- BCR108S：有关卷筒方向，请参阅以下包装信息
- 无铅（符合RoHS）包装
- 符合AEC Q101
BCR108E6433HTMA1
- 描述:晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 40000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 40000+ | 0.33896 | 13558.72000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥0.33897
-
数量:
- +
- 总计: ¥13,558.72
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 晶体管类别 NPN-预偏置
- 集电极击穿电压 50 V
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 500A, 10毫安
- 最大功率 200毫瓦
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
- 发射极电阻 (R2) 47 kOhms
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 基极电阻 (R1) 2.2千欧姆
- 最小直流增益 70 @ 5毫安, 5V
- 集电极最大截止电流 100nA（ICBO）
- 特征频率 170兆赫
- 部件状态 不适用于新设计
- 供应商设备包装 PG-SOT23
BCR108E6433HTMA1 产品详情
BCR108E6433HTMA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BCR9 | 美国斯旺斯特龙工具 (Swanstrom) | PLIER CURVED NOSE RELIEVED GRIP | ¥719.66664 |
| BCR9-G | 美国斯旺斯特龙工具 (Swanstrom) | GRIPPER LARGE BRONZE CURVED NOSE | ¥859.37009 |
| BCR1500BKMAHWS | 昂斯特罗姆 (Vishay Electro-Films) | RES 15 OHM 1/4W 10% 0202 | ¥77.37735 |
| BCR6800BGMAKWS | 昂斯特罗姆 (Vishay Electro-Films) | RES 68 OHM 1/4W 2% BACK-C CHIP | ¥80.38533 |
| BCR3320AFCGHWS | 昂斯特罗姆 (Vishay Electro-Films) | RES SMD 332 OHM 1% 1/4W 0202 | ¥111.57543 |
| BCR3FM-12RB#BB0 | 瑞萨电子 (Renesas) | BCR3FM-12RB - 600V 3A TRIAC | ¥6.37332 |
| BCR16CM-12LA#B00 | 瑞萨电子 (Renesas) | BCR16CM-12LA - MEDIUM POWER TRIA | ¥10.92215 |
| BCR25KR-12LB#B00 | 瑞萨电子 (Renesas) | BCR25KR-12LB - MEDIUM POWER TRIA | ¥36.75953 |
| BCR5242-AR | 欧姆龙 (Omron) | 种类: 条形码阅读器 传感器型号: 电荷耦合器件 扫描速度: 120次扫描/s 安装距离范围: 35.0毫米 光源: 集成（红色） | ¥17,246.01188 |
| BCR8KM-12LA-1AR#X2 | 瑞萨电子 (Renesas) | BCR28M-12LA - 8A MEDIUM POWER TR | ¥7.39174 |
BCR108E6433HTMA1所属分类：单个预偏置双极晶体管，BCR108E6433HTMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BCR108E6433HTMA1价格参考￥0.338968，你可以下载 BCR108E6433HTMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BCR108E6433HTMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
