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NSBA114TF3T5G

  • 描述:晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 7592

数量 单价 合计
1+ 0.67858 0.67858
200+ 0.26260 52.52120
500+ 0.25337 126.68900
1000+ 0.24881 248.81500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥0.67859
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1,889.00
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 50 V
  • 基极电阻 (R1) 10千欧姆
  • 集电极最大截止电流 500nA
  • 安装类别 表面安装
  • 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 晶体管类别 PNP-预偏
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@300A、 10毫安
  • 特征频率 -
  • 发射极电阻 (R2) -
  • 最小直流增益 160@5毫安,10V
  • 最大功率 254毫瓦
  • 包装/外壳 SOT-1123
  • 供应商设备包装 SOT-1123

NSBA114TF3T5G 产品详情

这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个具有由两个电阻器组成的单片偏置网络的单个晶体管;串联基极电阻器和基极发射极电阻器。BRT通过将这些单独的组件集成到单个设备中,从而消除了这些组件。使用快速公交系统可以降低系统成本和董事会空间。

特色

  • 简化电路设计
  • 减少板空间
  • 减少组件数量
  • 汽车和其他应用的S和NSV前缀需要独特的现场和控制变更要求;AEC-Q101合格和PPAP能力
  • 这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR,符合RoHS标准
NSBA114TF3T5G所属分类:单个预偏置双极晶体管,NSBA114TF3T5G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NSBA114TF3T5G价格参考¥0.678587,你可以下载 NSBA114TF3T5G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NSBA114TF3T5G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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