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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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MMUN2113LT1G
MMUN2113LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.14631

2672

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14631

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MMUN2112LT1G
MMUN2112LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.17289

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17289

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MMUN2114LT1G
MMUN2114LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.17962

964

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17962

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MMUN2132LT1G
MMUN2132LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.12096

17798

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12096

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MMUN2133LT1G
MMUN2133LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.12458

4222

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12458

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MMUN2217LT1G
MMUN2217LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥1.08644

30679

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.08644

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DTC144EET1G
DTC144EET1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.23322

2935

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.23322

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DTC143ZET1G
DTC143ZET1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.14341

355

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14341

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MUN2211T1G
MUN2211T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.25218

2320

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.25218

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MUN5213T1G
MUN5213T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥1.44858

49783

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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MUN5233T1G
MUN5233T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.17818

17945

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17818

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MUN5211T1G
MUN5211T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.17673

2905

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17673

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DTC124EET1G
DTC124EET1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.28357

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.28357

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SMUN2211T1G
SMUN2211T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.35669

2155

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.35669

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MMUN2230LT1G
MMUN2230LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.43660

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.43660

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NSVMMUN2133LT1G
NSVMMUN2133LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.33897

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.33897

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MMUN2115LT1G
MMUN2115LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 400毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥1.06030

50

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.06030

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MUN2114T1G
MUN2114T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.17673

40

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17673

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MUN2212T1G
MUN2212T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥1.23129

6305

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.23129

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DTA114YET1G
DTA114YET1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.49474

1440

2-3 工作日

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