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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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MUN2213T1G
MUN2213T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥0.29473

1800

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.29473

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SMUN2216T1G
SMUN2216T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.41193

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.41193

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DTA114EET1G
DTA114EET1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.21729

20

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.21729

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DTC143ZM3T5G
DTC143ZM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥3.27895

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.27895

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SMUN5114T3G
SMUN5114T3G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.58753

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,875.30000

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SDTC124EET1G
SDTC124EET1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.76098

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,282.92500

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DTC144EM3T5G
DTC144EM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.82207

243

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.82207

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SDTC144EET1G
SDTC144EET1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.71545

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,292.67600

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NSVDTA143ZET1G
NSVDTA143ZET1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.45601

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,736.07800

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NSVDTC123JET1G
NSVDTC123JET1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.45601

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,736.07800

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SMMUN2211LT1G
SMMUN2211LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.34766

30004

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.34766

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NSVDTA115EET1G
NSVDTA115EET1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.45601

15000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,736.07800

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SMMUN2214LT1G
SMMUN2214LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.50706

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.50706

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DTA144EM3T5G
DTA144EM3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.17952

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17952

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SMUN5233T1G
SMUN5233T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.57005

2320

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.57005

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NSVDTA144WET1G
NSVDTA144WET1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.45601

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,736.07800

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SMUN5211T1G
SMUN5211T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.39039

1212

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.39039

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SMUN5112T1G
SMUN5112T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.43088

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,292.64000

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MMUN2140LT1G
MMUN2140LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.13356

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,404.06200

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NSVMUN2233T1G
NSVMUN2233T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.41193

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,707.32500

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