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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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NSBA114EF3T5G
NSBA114EF3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123

¥1.43958

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,612.93802

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DTA124EET1G
DTA124EET1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.19310

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,317.15200

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NSBC144EF3T5G
NSBC144EF3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123

¥0.57943

906233

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,259.20537

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DTC123EET1G
DTC123EET1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.60279

930

2-3 工作日

- +

合计: ¥7,233.48000

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NSBA124EF3T5G
NSBA124EF3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123

¥0.57943

293500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,259.20537

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DTA124XET1G
DTA124XET1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.19809

375000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,377.11600

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NSBC114TF3T5G
NSBC114TF3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123

¥1.41794

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,528.52857

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DTC115TET1G
DTC115TET1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.19809

138000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,377.11600

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NSBC123JF3T5G
NSBC123JF3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123

¥0.57943

405497

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,259.20537

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DTC144TET1G
DTC144TET1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.31362

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥940.85400

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NSBC143TF3T5G
NSBC143TF3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123

¥0.57943

461000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,259.20537

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NSBC143EF3T5G
NSBC143EF3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123

¥0.57943

317830

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,069.15167

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MMUN2134LT1G
MMUN2134LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.32644

1840

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.32644

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MUN5136T1G
MUN5136T1G
MUN5136 - BIAS RESISTOR TRANSIST

¥0.14486

87000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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MUN5136DW1T1G
MUN5136DW1T1G
MUN5136 - DUAL BIAS RESISTOR TRA

¥0.21729

36000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,940.59020

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FJNS3201RTA
FJNS3201RTA
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: TO-92S

¥1.50652

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.50652

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NSVDTC144WET1G
NSVDTC144WET1G
NSVDTC144 - BIAS RESISTOR TRANSI

¥0.24247

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,748.70085

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FJNS3202RTA
FJNS3202RTA
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: TO-92S

¥1.00723

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.00723

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MMUN2231LT1G
MMUN2231LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.21030

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.21030

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MMUN2135LT1G
MMUN2135LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥1.08644

5458

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.08644

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