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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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MUN5215T1G
MUN5215T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.30166

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FJY3008R
FJY3008R
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-89-3

¥0.91261

9000

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合计: ¥0.91261

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FJX4001RTF
FJX4001RTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.80156

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.80156

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FJY3009R
FJY3009R
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-89-3

¥1.48235

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5-7 工作日

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合计: ¥1.48235

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FJX4010RTF
FJX4010RTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.42927

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.42927

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FJV3102RMTF
FJV3102RMTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.85418

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.85418

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FJY3010R
FJY3010R
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-89-3

¥1.21003

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.21003

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FJX4014RTF
FJX4014RTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.95558

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.95558

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FJN3302RTA
FJN3302RTA
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: TO-92-3

¥1.05631

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.05631

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FJY3011R
FJY3011R
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-89-3

¥1.54998

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.54998

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FJX4012RTF
FJX4012RTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.78223

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.78223

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NSBA144EF3T5G
NSBA144EF3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123

¥0.57943

867833

5-7 工作日

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合计: ¥2,259.20537

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DTA124XM3T5G
DTA124XM3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.40691

71500

5-7 工作日

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合计: ¥3,255.24800

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FJX4008RTF
FJX4008RTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.51184

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.51184

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FJY3012R
FJY3012R
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-89-3

¥2.01353

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.01353

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MUN5235T1G
MUN5235T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥1.44858

1327

5-7 工作日

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合计: ¥1.44858

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NSVDTC143ZET1G
NSVDTC143ZET1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥2.96959

0

5-7 工作日

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合计: ¥2.96959

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DTA143TM3T5G
DTA143TM3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.40691

1003000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,255.24800

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FJX4007RTF
FJX4007RTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.53053

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.53053

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DTA115EET1G
DTA115EET1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥2.22800

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