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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
FJV4109RMTF
FJV4109RMTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.60792

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.60792

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SMUN5215T1G
SMUN5215T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.21729

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,911.03917

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DTA144WET1
DTA144WET1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.28972

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,732.50168

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FJV4108RMTF
FJV4108RMTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.70303

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.70303

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NSVMUN5237T1G
NSVMUN5237T1G
TRANS NPN 50V BIPOLAR SC70-3

¥0.37468

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,372.07500

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DTA144TT1
DTA144TT1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.28972

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,738.29600

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FJV4110RMTF
FJV4110RMTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.16095

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.16095

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DTA115EET1
DTA115EET1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.28972

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,639.79256

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DTA114YET1
DTA114YET1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.28972

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥796.71900

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DTC144WET1G
DTC144WET1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥1.37615

2800

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.37615

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MMUN2211LT3G
MMUN2211LT3G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.22312

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.22312

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NSBC143TPDXV6T1
NSBC143TPDXV6T1
TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

¥0.43457

84000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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MMUN2232LT1G
MMUN2232LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.10357

57935

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10357

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NSBC144EPDXV6T1
NSBC144EPDXV6T1
TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

¥1.91213

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.91213

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MMUN2213LT1G
MMUN2213LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.06808

7305

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.06808

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DTC123JET1G
DTC123JET1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.97417

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.97417

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MMUN2111LT3G
MMUN2111LT3G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥1.08644

548

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.08644

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MMUN2116LT1G
MMUN2116LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.59806

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.59806

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MMUN2211LT1G
MMUN2211LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.10357

29306

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10357

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MMUN2113LT3G
MMUN2113LT3G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥1.08644

120

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.08644

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