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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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MUN5111T1G
MUN5111T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.24637

0

2-3 工作日

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FJNS4202RTA
FJNS4202RTA
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: TO-92S

¥0.25043

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.25043

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MUN2113T1G
MUN2113T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥1.86017

40

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.86017

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FJV3104RMTF
FJV3104RMTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.00711

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.00711

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SMMUN2111LT1G
SMMUN2111LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.41140

2800

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.41140

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NSVMMUN2232LT1G
NSVMMUN2232LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥2.37587

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.37587

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NSVMMUN2235LT1G
NSVMMUN2235LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.84770

185

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.84770

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SMMUN2113LT1G
SMMUN2113LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.39546

200

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.39546

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SMMUN2114LT1G
SMMUN2114LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.54190

890

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.54190

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SMMUN2213LT1G
SMMUN2213LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥2.97417

185

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.97417

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MUN5214T1G
MUN5214T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.30565

1284

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.30565

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FJNS4206RTA
FJNS4206RTA
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: TO-92S

¥1.33269

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.33269

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DTC143TET1G
DTC143TET1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥1.44841

90

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.44841

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FJY3001R
FJY3001R
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-89-3

¥1.07457

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.07457

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FJY3002R
FJY3002R
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-89-3

¥0.87865

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.87865

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FJY3003R
FJY3003R
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-89-3

¥1.78946

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.78946

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FJY3004R
FJY3004R
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-89-3

¥1.64333

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.64333

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FJY3005R
FJY3005R
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-89-3

¥1.21339

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.21339

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FJY3006R
FJY3006R
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-89-3

¥1.37128

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.37128

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FJY3007R
FJY3007R
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-89-3

¥0.99726

9000

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