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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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NSVDTC143ZM3T5G
NSVDTC143ZM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.41611

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,328.84000

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DTC143ZET1
DTC143ZET1
TRANS NPN 50V 4.7/47K SC-75

¥0.28972

45000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NSVDTC144TM3T5G
NSVDTC144TM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.41611

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,328.84000

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DTC144WM3T5G
DTC144WM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.21729

640127

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,738.29600

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NSVDTA113EM3T5G
NSVDTA113EM3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.41611

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,328.84000

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MMUN2112LT1
MMUN2112LT1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.14486

111000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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NSVDTA123EM3T5G
NSVDTA123EM3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.41611

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,328.84000

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MUN2111T1G
MUN2111T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.16224

1920

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.16224

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NSVDTC113EM3T5G
NSVDTC113EM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.41611

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,328.84000

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MMUN2116LT1
MMUN2116LT1
TRANS BRT PNP 50V SOT-23

¥0.15038

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,255.76000

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NSVDTC123EM3T5G
NSVDTC123EM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.41611

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,328.84000

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MMUN2130LT1
MMUN2130LT1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥1.91213

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.91213

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NSVDTC144EM3T5G
NSVDTC144EM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.65257

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,157.92118

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MMUN2134LT1
MMUN2134LT1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥1.89764

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.89764

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NSVDTA143EM3T5G
NSVDTA143EM3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.41611

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,328.84000

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NSVDTA123JM3T5G
NSVDTA123JM3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.21729

80000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,602.27434

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MMUN2215LT1
MMUN2215LT1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.14486

30000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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NSVDTC123JM3T5G
NSVDTC123JM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.41611

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,328.84000

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MMUN2230LT1
MMUN2230LT1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥2.25979

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.25979

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MMUN2231LT1
MMUN2231LT1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.14486

189000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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