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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FJN4309RTA
FJN4309RTA
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: TO-92-3

¥2.15838

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.15838

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FJV3103RMTF
FJV3103RMTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.99048

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.99048

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FJV3113RMTF
FJV3113RMTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.69484

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.69484

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FJV3114RMTF
FJV3114RMTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.22557

0

2-3 工作日

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合计: ¥0.22557

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MMUN2137LT1G
MMUN2137LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥1.01401

16855

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.01401

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DTA115TET1G
DTA115TET1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.26017

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.26016

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MMUN2240LT1G
MMUN2240LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.30136

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.30136

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DTA114TET1G
DTA114TET1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥1.37615

11453

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.37615

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DTC113EET1G
DTC113EET1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.33821

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.33821

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MUN2236T1G
MUN2236T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥0.27639

351000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,487.50100

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MUN2241T1G
MUN2241T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥0.27639

162000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,487.50100

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MUN2230T1G
MUN2230T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥0.27639

405000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,487.50100

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MUN5216T1G
MUN5216T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥1.81073

138311

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.81073

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MUN2240T1G
MUN2240T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥0.47263

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,253.65200

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MUN5115T1G
MUN5115T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.27639

73000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,487.50100

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MUN5131T1G
MUN5131T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.27639

637000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,487.50100

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MUN5241T1G
MUN5241T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.14486

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥434.57400

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MUN2215T1G
MUN2215T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥0.43466

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,911.94900

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MUN5231T1G
MUN5231T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥1.73830

12878

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.73830

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SMUN2232T1G
SMUN2232T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.24266

3000

2-3 工作日

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合计: ¥0.24266

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