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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
SMMUN2116LT3G
SMMUN2116LT3G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.21729

100000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,958.84231

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MUN2111T1
MUN2111T1
TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59

¥0.14486

143230

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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DTC114YM3T5G
DTC114YM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥2.67987

114

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.67987

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DTC124XM3T5G
DTC124XM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.21729

387342

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,738.29600

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SMMUN2216LT3G
SMMUN2216LT3G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.57236

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,159.78934

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MUN2211T1
MUN2211T1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥0.36215

97000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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NSVMMUN2232LT3G
NSVMMUN2232LT3G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.57236

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,723.56000

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MUN2212T1
MUN2212T1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥0.36215

105000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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NSVMMUN2233LT3G
NSVMMUN2233LT3G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.31065

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,106.48000

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MUN2213T1
MUN2213T1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

545350

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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MUN2214T1
MUN2214T1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

117000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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MUN5114T1
MUN5114T1
TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT323

¥0.77037

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.77037

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MUN5214T1
MUN5214T1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.28972

39000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NSBC144WF3T5G
NSBC144WF3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123

¥0.57943

312000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,069.15167

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MMUN2215LT1G
MMUN2215LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 400毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.12965

2897

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12965

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MMUN2216LT1G
MMUN2216LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 400毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.36661

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.36661

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MMUN2235LT1G
MMUN2235LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.17745

2554

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17745

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MMUN2233LT1G
MMUN2233LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.10720

22983

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10720

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MMUN2111LT1G
MMUN2111LT1G
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.10357

61105

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10357

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MMUN2214LT1G
MMUN2214LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.10140

703

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10140

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