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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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MUN5113T3G
MUN5113T3G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.10181

0

2-3 工作日

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合计: ¥1,527.09000

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MUN5115T1
MUN5115T1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.28972

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,607.44400

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MUN5116T1
MUN5116T1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.28972

39000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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MUN5131T1
MUN5131T1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.30131

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,810.84305

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MUN5132T1
MUN5132T1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 310 mW 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.30076

0

2-3 工作日

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合计: ¥2,169.08833

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MUN5133T1
MUN5133T1
TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323

¥0.28972

162000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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MUN5135T1
MUN5135T1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.28972

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,738.29600

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MUN5215T1
MUN5215T1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.28972

39000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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MUN5216T1
MUN5216T1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.28972

96000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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MUN5232T1
MUN5232T1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.28972

30000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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MUN5233T1
MUN5233T1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 310 mW 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.28972

146750

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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MUN5234T1
MUN5234T1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.28972

72000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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MUN5234T1G
MUN5234T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥1.99904

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.99904

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SMUN5235T1G-M02
SMUN5235T1G-M02
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70(SOT323)

¥1.06200

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.06200

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MUN5235T1
MUN5235T1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥1.49088

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.49088

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NSVMUN5234T1G
NSVMUN5234T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70(SOT323)

¥1.53016

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.53016

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FJX4004RTF
FJX4004RTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.40512

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.40512

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NSVMUN5136T1G
NSVMUN5136T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70(SOT323)

¥1.34040

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.34040

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NSVMMUN2112LT1G
NSVMMUN2112LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥2.39016

614171

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.39016

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SMMUN2216LT1G
SMMUN2216LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.32238

3000

2-3 工作日

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