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NSVMMUN2112LT1G

  • 描述:晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.82473 2.82473
10+ 2.30324 23.03242
100+ 1.22115 122.11530
500+ 0.80323 401.61900
1000+ 0.54618 546.18700
3000+ 0.49266 1477.98600
6000+ 0.42841 2570.50800
15000+ 0.36417 5462.59500
30000+ 0.35367 10610.13000
  • 库存: 614171
  • 单价: ¥2.39016
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.82
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 50 V
  • 集电极最大截止电流 500nA
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 晶体管类别 PNP-预偏
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@300A、 10毫安
  • 特征频率 -
  • 最大功率 246毫瓦
  • 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
  • 基极电阻 (R1) 22千欧姆
  • 发射极电阻 (R2) 22千欧姆
  • 最小直流增益 60 @ 5毫安, 10V

NSVMMUN2112LT1G 产品详情

双电阻数字PNP晶体管,ON半导体标准

带有S或NSV前缀的制造商零件号符合AEC-Q101标准。

特色

  • 简化电路设计
  • 减少板空间
  • 减少组件数量
  • 汽车和其他应用的S和NSV前缀需要独特的现场和控制变更要求;AEC-Q101合格和PPAP能力
  • 这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR,符合RoHS标准
NSVMMUN2112LT1G所属分类:单个预偏置双极晶体管,NSVMMUN2112LT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NSVMMUN2112LT1G价格参考¥2.390157,你可以下载 NSVMMUN2112LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NSVMMUN2112LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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