品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

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描述
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FJN3304RTA
FJN3304RTA
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: TO-92-3

¥1.74745

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FJN3309RTA
FJN3309RTA
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: TO-92-3

¥1.42782

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.42782

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FJN4310RTA
FJN4310RTA
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: TO-92-3

¥1.08163

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.08163

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FJN4310RBU
FJN4310RBU
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: TO-92-3

¥1.44822

9000

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合计: ¥1.44822

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FJN4303RBU
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晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: TO-92-3

¥1.27939

9000

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合计: ¥1.27939

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FJN3306RTA
FJN3306RTA
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: TO-92-3

¥1.65735

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合计: ¥1.65735

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FJV3106RMTF
FJV3106RMTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.25948

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合计: ¥1.25948

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FJV3112RMTF
FJV3112RMTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.33532

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FJV3111RMTF
FJV3111RMTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.19380

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合计: ¥1.19380

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FJV3109RMTF
FJV3109RMTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥2.08596

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合计: ¥2.08595

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FJV3107RMTF
FJV3107RMTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.54998

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合计: ¥1.54998

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FJV3108RMTF
FJV3108RMTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.38386

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FJNS3215RBU
FJNS3215RBU
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: TO-92S

¥2.18736

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MUN5135T1G
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晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.15934

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NSVDTC114YM3T5G
NSVDTC114YM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥2.75230

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NSVDTA114YM3T5G
NSVDTA114YM3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

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SMMUN2238LT1G
SMMUN2238LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥2.39016

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SMUN5214T1G
SMUN5214T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥2.46259

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FJV4101RMTF
FJV4101RMTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.41961

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FJV4104RMTF
FJV4104RMTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

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