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NSVDTC114YM3T5G

  • 描述:晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.75230 2.75230
10+ 2.23805 22.38056
100+ 1.18566 118.56630
500+ 0.78020 390.10250
1000+ 0.53054 530.54200
2000+ 0.47853 957.07600
8000+ 0.41610 3328.84000
16000+ 0.35367 5658.73600
24000+ 0.34353 8244.74400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥2.75230
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.75
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 晶体管类别 NPN-预偏置
  • 集电极击穿电压 50 V
  • 基极电阻 (R1) 10千欧姆
  • 集电极最大截止电流 500nA
  • 安装类别 表面安装
  • 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
  • 发射极电阻 (R2) 47 kOhms
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 最小直流增益 80 @ 5毫安, 10V
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@300A、 10毫安
  • 特征频率 -
  • 包装/外壳 SOT-723
  • 最大功率 260毫瓦
  • 供应商设备包装 SOT-723

NSVDTC114YM3T5G 产品详情

双电阻数字NPN晶体管,ON半导体标准

带有S或NSV前缀的制造商零件号符合AEC-Q101标准。

特色

  • 简化电路设计
  • 减少板空间
  • 减少组件数量
  • 汽车和其他应用的S和NSV前缀需要独特的现场和控制变更要求;AEC-Q101合格和PPAP能力
  • 这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR,符合RoHS标准
NSVDTC114YM3T5G所属分类:单个预偏置双极晶体管,NSVDTC114YM3T5G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NSVDTC114YM3T5G价格参考¥2.752302,你可以下载 NSVDTC114YM3T5G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NSVDTC114YM3T5G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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