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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FJV4113RMTF
FJV4113RMTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.81121

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.81121

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FJV4114RMTF
FJV4114RMTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥2.31205

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.31205

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FJX3007RTF
FJX3007RTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.39868

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.39868

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FJX3008RTF
FJX3008RTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥2.52053

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.52053

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FJX3014RTF
FJX3014RTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.28220

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.28220

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FJX4003RTF
FJX4003RTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥2.14587

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.14587

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FJX4006RTF
FJX4006RTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.22101

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.22101

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DTC123TM3T5G
DTC123TM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.21729

280000

5-7 工作日

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合计: ¥1,738.29600

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NSBC123EF3T5G
NSBC123EF3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123

¥0.57943

317000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,069.15167

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NSBC124XF3T5G
NSBC124XF3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123

¥0.57943

312000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,069.15167

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NSVMMUN2113LT3G
NSVMMUN2113LT3G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥1.18668

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.18668

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MUN2238T1G
MUN2238T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.17308

0

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合计: ¥519.25200

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SMUN5113T1G
SMUN5113T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.21729

81000

5-7 工作日

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合计: ¥0.21729

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MUN2234T1G
MUN2234T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥0.21729

93000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,590.06104

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MUN5113T1G
MUN5113T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.14486

267000

5-7 工作日

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合计: ¥1,738.29600

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MUN2240T1G
MUN2240T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥0.27639

313000

5-7 工作日

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合计: ¥2,487.50100

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FJY3002R
FJY3002R
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-89-3

¥1.41464

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.41464

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FJV3101RMTF
FJV3101RMTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.21729

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合计: ¥2,089.43179

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FJV3105RMTF
FJV3105RMTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.23726

9000

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合计: ¥1.23726

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FJV3113RMTF
FJV3113RMTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

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