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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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MUN2216T1G
MUN2216T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥0.31782

15000

5-7 工作日

- +

合计: ¥953.45400

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MUN5132T1G
MUN5132T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.55935

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.55935

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NSVMMUN2212LT1G
NSVMMUN2212LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥2.35895

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.35895

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MUN5133T1G
MUN5133T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥1.08644

21310

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.08644

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SMUN5213T1G
SMUN5213T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥1.73322

50

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.73322

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DTC144EET1
DTC144EET1
TRANS NPN BIAS RES 50V SC-75

¥0.28972

242165

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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MMUN2111LT1
MMUN2111LT1
TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23

¥0.14486

159000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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MMUN2113LT1
MMUN2113LT1
TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23

¥0.14486

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥796.71900

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MMUN2114LT1
MMUN2114LT1
TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23

¥0.14486

63000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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DTC143TM3T5G
DTC143TM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥2.67987

531

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.67987

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MMUN2211LT1
MMUN2211LT1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.14486

95790

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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SMMUN2215LT1G-M01
SMMUN2215LT1G-M01
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT-23-3

¥1.09414

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.09414

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SMUN2214T3G
SMUN2214T3G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥2.67987

469

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.67987

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MMUN2212LT1
MMUN2212LT1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥1.22110

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.22110

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MMUN2213LT1
MMUN2213LT1
TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23

¥0.14486

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,303.72200

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MMUN2216LT1
MMUN2216LT1
TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23

¥0.14486

178000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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MMUN2232LT1
MMUN2232LT1
TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23

¥0.88363

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.88363

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SMMUN2111LT3G
SMMUN2111LT3G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.57236

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,723.56000

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MMUN2233LT1
MMUN2233LT1
TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23

¥0.43457

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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DTA114TM3T5G
DTA114TM3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.21729

272118

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,738.29600

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