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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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MUN2130T1
MUN2130T1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

39000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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MUN2130T1G
MUN2130T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

300000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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MUN2132T1
MUN2132T1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

39000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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MUN2133T1
MUN2133T1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

237000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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MUN2134T1
MUN2134T1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥1.18669

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.18669

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MUN2211JT1
MUN2211JT1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

36000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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MUN2211JT1G
MUN2211JT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

222000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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MUN2211T3
MUN2211T3
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

40000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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MUN2213JT1
MUN2213JT1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥1.62803

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.62803

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MUN2216T1
MUN2216T1
TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59

¥0.14486

228000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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MUN2231T1
MUN2231T1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

93000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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MUN2233T1
MUN2233T1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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MUN5113T1
MUN5113T1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.99952

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.99952

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FJN4305RTA
FJN4305RTA
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: TO-92-3

¥1.80221

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.80221

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FJV3105RMTF
FJV3105RMTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.62621

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.62621

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FJV3115RMTF
FJV3115RMTF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.22144

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.22144

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FJN3314RTA
FJN3314RTA
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: TO-92-3

¥1.56447

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.56447

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FJN4301RTA
FJN4301RTA
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: TO-92-3

¥1.03162

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.03162

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FJN4302RTA
FJN4302RTA
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: TO-92-3

¥0.97936

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.97936

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FJN4303RTA
FJN4303RTA
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: TO-92-3

¥2.44810

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.44810

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