特色
- 简化电路设计
- 减少板空间
- 减少组件数量
- S前缀用于需要独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用；AEC-Q101合格和PPAP能力
- 这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR，符合RoHS标准
MMUN2116LT1
- 描述:TRANS BRT PNP 50V SOT-23
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 15000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.15038 | 0.15038 |
| 200+ | 0.05819 | 11.63940 |
| 500+ | 0.05615 | 28.07700 |
| 1000+ | 0.05514 | 55.14000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥0.15038
-
数量:
- +
- 总计: ¥827.10
在线询价
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 晶体管类别 -
- 最大集电极电流 (Ic) -
- 特征频率 -
- 集电极击穿电压 -
- 基极电阻 (R1) -
- 发射极电阻 (R2) -
- 最小直流增益 -
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) -
- 集电极最大截止电流 -
- 最大功率 -
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
- 部件状态 过时的
MMUN2116LT1 产品详情
这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个具有由两个电阻器组成的单片偏置网络的单个晶体管；串联基极电阻器和基极发射极电阻器。BRT通过将这些单独的组件集成到单个设备中，从而消除了这些组件。使用快速公交系统可以降低系统成本和董事会空间。
MMUN2116LT1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MMUN2132LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 50V SOT-23 | ¥0.14486 |
 | MMUN2133LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 50V SOT-23 | ¥0.14486 |
 | MMUN2214LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 50V SOT-23 | ¥0.14486 |
 | MMUN2234LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 50V SOT-23 | ¥0.43457 |
 | MMU-SC | 太科网络 (TechLogix) | 连接端子种类: 插头 连接端子样式: SC 单式/双式: 单工 外壳色: 湖绿色 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥94.1577 |
 | MMU-FC | 太科网络 (TechLogix) | 连接端子种类: 插头 连接端子样式: FC 单式/双式: 单工 外壳色: 湖绿色 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥137.6151 |
 | MMUN2232 E32 | 创基 (CBI) | 暂无 | ¥0.1135 |
| MMUN2211 11 | 创基 (CBI) | 暂无 | ¥0.13783 |
 | MMUN2235 | 维攀微 (WPMtek) | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V | ¥0.11412 |
 | MMUN2216 | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@5mA,10V | ¥0.21824 |
MMUN2116LT1所属分类：单个预偏置双极晶体管，MMUN2116LT1 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MMUN2116LT1价格参考￥0.150384，你可以下载 MMUN2116LT1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MMUN2116LT1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
