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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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NSVMMUN2136LT1G
NSVMMUN2136LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.36548

0

5-7 工作日

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合计: ¥3,289.29300

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SMUN2111T3G
SMUN2111T3G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.41193

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,119.25000

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MUN2137T1
MUN2137T1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

693000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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FJV4112RMTF
FJV4112RMTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.08570

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.08570

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NSVMUN2212T1G
NSVMUN2212T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥1.73830

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.73830

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SMUN2211T3G
SMUN2211T3G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.22315

370000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,231.54000

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FJV4106RMTF
FJV4106RMTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.19357

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.19357

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NSB9435T1
NSB9435T1
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 3 W 特征频率: 110兆赫 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261)

¥0.65186

61339

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.86637

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MMUN2237LT1G
MMUN2237LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥1.23129

9686

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.23129

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FJV4107RMTF
FJV4107RMTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.45808

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.45808

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DTC114YET1
DTC114YET1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.28972

20895

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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FJV4103RMTF
FJV4103RMTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.30076

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.30076

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SMUN5232T1G
SMUN5232T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.37468

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,372.07500

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DTC144WET1
DTC144WET1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.14486

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥434.57400

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FJV4111RMTF
FJV4111RMTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.90535

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.90535

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NSVMUN5131T1G
NSVMUN5131T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.58753

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,167.32635

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DTC144TT1
DTC144TT1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,169.97284

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FJV4105RMTF
FJV4105RMTF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.20794

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.20794

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NSVMUN5236T1G
NSVMUN5236T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.21729

90000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,911.03917

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DTC115EET1
DTC115EET1
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.28972

366000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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