9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FJ4103RMTF，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FJ4103RMTF价格参考$0.219688。onsemi FJV4103RMTF包装/规格：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3。您可以下载FJV4103RMTF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FJV4101RMTF是TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3，包括卷筒包装，其设计为单位重量为0.002116盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-23-3等包装箱功能，配置设计为单台工作，以及0.2 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为50 V，该器件具有晶体管极性PNP，发射极基极电压VEBO为-10 V，连续集电极电流为-0.1 a，直流集电极基极增益hfe Min为20，典型输入电阻为4.7千欧，典型电阻比为1，峰值直流集电极电流为100毫安。
FJV4102RMTF是TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3，包括0.002116盎司单位重量，它们设计为以1典型电阻比工作，典型输入电阻如数据表注释所示，用于10千欧姆，提供晶体管极性特性，如PNP，峰值直流集电极电流设计为100 mA，以及0.2 W Pd功耗，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为SOT-23-3，该器件为SMD/SMT安装型，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，发射极基极电压VEBO为-10 V，直流集电极基极增益hfe Min为30，连续集电极电流为-0.1 A，配置为单级，集电极-发射极电压VCEO Max为50V。
FJV4102RLIMTF，带有FAI制造的电路图。FJV4102RLIMTF采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
