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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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MMUN2238LT1G
MMUN2238LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.18788

2900

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.18788

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MMUN2234LT1G
MMUN2234LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.22598

580

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.22598

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MUN5114T1G
MUN5114T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥1.44858

297

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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DTC115EET1G
DTC115EET1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.33403

2980

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.33403

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DTA114YM3T5G
DTA114YM3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.55478

15980

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.55478

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MUN2116T1G
MUN2116T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

372000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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MUN2133T1G
MUN2133T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

210000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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MUN2214T3G
MUN2214T3G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.29051

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,810.26000

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DTA123JM3T5G
DTA123JM3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.33781

289150

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,702.47200

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MUN2231T1G
MUN2231T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

282000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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DTA144WM3T5G
DTA144WM3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.33781

149473

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,702.47200

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MUN2140T1G
MUN2140T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.16890

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,533.56000

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DTA115EM3T5G
DTA115EM3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.57669

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,613.55200

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MUN5136T1G
MUN5136T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.17354

81000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,603.10000

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DTA123EM3T5G
DTA123EM3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.33781

477877

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,702.47200

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MUN2112T1G
MUN2112T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

271889

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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MUN2135T1G
MUN2135T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

321000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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DTA124EM3T5G
DTA124EM3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.33781

512000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,702.47200

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DTC123JM3T5G
DTC123JM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.34259

95

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.34259

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MUN2138T1G
MUN2138T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.29051

0

2-3 工作日

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合计: ¥4,357.69500

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