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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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MMUN2141LT1G
MMUN2141LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.14486

168000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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SMUN2212T1G
SMUN2212T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.26256

140665

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,362.99500

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MMUN2131LT1G
MMUN2131LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.14486

120000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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SMUN2230T1G
SMUN2230T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.26256

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,362.99500

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SDTC114YET1G
SDTC114YET1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥2.96959

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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MMUN2114LT3G
MMUN2114LT3G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.14486

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥724.29000

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SMUN2240T1G
SMUN2240T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.41193

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,707.32500

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DTA144WET1G
DTA144WET1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.26017

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,902.47500

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NSVMUN2237T1G
NSVMUN2237T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.41193

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,707.32500

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DTA143TET1G
DTA143TET1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.50464

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥6,308.02500

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SMMUN2134LT1G
SMMUN2134LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.57236

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.57236

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NSVMUN2112T1G
NSVMUN2112T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.26256

297000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,362.99500

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DTA113EET1G
DTA113EET1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.26017

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,902.47500

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NSVMUN2236T1G
NSVMUN2236T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.26256

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,362.99500

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DTA123TET1G
DTA123TET1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.16586

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,487.93000

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DTA114EM3T5G
DTA114EM3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥2.24530

3846

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.24530

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MUN2211T3G
MUN2211T3G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.23597

5780

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.23597

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DTA144TET1G
DTA144TET1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.14486

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥434.57400

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DTC123EM3T5G
DTC123EM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥2.24530

3464

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.24530

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MMUN2212LT1G
MMUN2212LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.18325

194

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.18325

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