带有S或NSV前缀的制造商零件号符合AEC-Q101标准。
特色
- 简化电路设计
- 减少板空间
- 减少组件数量
- 汽车和其他应用的S和NSV前缀需要独特的现场和控制变更要求；AEC-Q101合格和PPAP能力
- 这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR，符合RoHS标准
DTC123EM3T5G
- 描述:晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.24529 | 2.24529 |
| 10+ | 1.81796 | 18.17968 |
| 100+ | 0.96258 | 96.25810 |
| 500+ | 0.63331 | 316.65950 |
| 1000+ | 0.43073 | 430.73500 |
| 2000+ | 0.38850 | 777.01800 |
| 8000+ | 0.33780 | 2702.47200 |
| 16000+ | 0.28710 | 4593.74400 |
| 24000+ | 0.27885 | 6692.44800 |
- 库存: 3464
- 单价: ¥2.24530
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.25
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN-预偏置
- 集电极击穿电压 50 V
- 集电极最大截止电流 500nA
- 安装类别 表面安装
- 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
- 基极电阻 (R1) 2.2千欧姆
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 特征频率 -
- 包装/外壳 SOT-723
- 发射极电阻 (R2) 2.2千欧姆
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@5毫安，10毫安
- 最大功率 260毫瓦
- 供应商设备包装 SOT-723
- 最小直流增益 8 @ 5毫安, 10V
DTC123EM3T5G 产品详情
双电阻数字NPN晶体管，ON半导体标准
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | DTC124XM3T5G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723 | ¥0.21729 |
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| DTC143ZM | 台舟 (TECH PUBLIC) | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：100mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.17137 |
 | DTC143ECA | 扬杰 (YANGJIE) | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.19773 |
DTC123EM3T5G所属分类：单个预偏置双极晶体管，DTC123EM3T5G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DTC123EM3T5G价格参考￥2.245299，你可以下载 DTC123EM3T5G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DTC123EM3T5G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
