特色
- 简化电路设计
- 减少板空间
- 减少组件数量
- 汽车和其他应用的S和NSV前缀需要独特的现场和控制变更要求；AECQ101合格和PPAP能力
- 这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR，符合RoHS标准
DTC124XM3T5G
- 描述:晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 9746
- 库存: 387342
- 单价: ¥0.21729
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,117.68
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 晶体管类别 NPN-预偏置
- 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
- 集电极击穿电压 50 V
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@1毫安，10毫安
- 特征频率 -
- 安装类别 表面安装
- 发射极电阻 (R2) 47 kOhms
- 基极电阻 (R1) 22千欧姆
- 部件状态 过时的
- 集电极最大截止电流 500nA
- 最大功率 260毫瓦
- 包装/外壳 SOT-723
- 供应商设备包装 SOT-723
- 最小直流增益 80 @ 5毫安, 10V
DTC124XM3T5G 产品详情
这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个具有由两个电阻器组成的单片偏置网络的单个晶体管；串联基极电阻器和基极发射极电阻器。BRT通过将这些单独的组件集成到单个设备中，从而消除了这些组件。使用快速公交系统可以降低系统成本和董事会空间。
DTC124XM3T5G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DTC114EET1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN BIAS RES 50V SC-75 | ¥0.28972 |
 | DTC124EET1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN 50V 100MA 22/22K SC-75 | ¥0.14486 |
| DTC124XM3T5G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723 | ¥0.21729 |
 | DTC143ZCA | 扬杰 (YANGJIE) | 暂无 | ¥0.16876 |
| DTC114EE | 扬杰 (YANGJIE) | 暂无 | ¥0.12179 |
| DTC143EE-MS | 美森科 (MSKSEMI) | 暂无 | ¥0.13558 |
| DTC144EE | 扬杰 (YANGJIE) | 暂无 | ¥0.12543 |
| DTC143TE-TP | 微型商业组件 (Micro) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：300@1mA,5V | ¥0.31845 |
| DTC143ZM | 台舟 (TECH PUBLIC) | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：100mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.17137 |
 | DTC143ECA | 扬杰 (YANGJIE) | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.19773 |
DTC124XM3T5G所属分类：单个预偏置双极晶体管，DTC124XM3T5G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DTC124XM3T5G价格参考￥0.217287，你可以下载 DTC124XM3T5G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DTC124XM3T5G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
