带有S或NSV前缀的制造商零件号符合AEC-Q101标准。
特色
- 简化电路设计
- 减少板空间
- 减少组件数量
- 汽车和其他应用的NSV前缀需要独特的现场和控制变更要求；AEC-Q101合格和PPAP能力
- 这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR，符合RoHS标准
MMUN2212LT1G
- 描述:晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.18324 | 0.18324 |
| 100+ | 0.11950 | 11.95080 |
| 1000+ | 0.10647 | 106.47100 |
- 库存: 194
- 单价: ¥0.18325
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.18
在线询价
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN-预偏置
- 集电极击穿电压 50 V
- 集电极最大截止电流 500nA
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@300A、 10毫安
- 特征频率 -
- 最大功率 246毫瓦
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 基极电阻 (R1) 22千欧姆
- 发射极电阻 (R2) 22千欧姆
- 最小直流增益 60 @ 5毫安, 10V
MMUN2212LT1G 产品详情
双电阻数字NPN晶体管，ON半导体标准
MMUN2212LT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MMUN2132LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 50V SOT-23 | ¥0.14486 |
 | MMUN2133LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 50V SOT-23 | ¥0.14486 |
 | MMUN2214LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 50V SOT-23 | ¥0.14486 |
 | MMUN2234LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 50V SOT-23 | ¥0.43457 |
 | MMU-SC | 太科网络 (TechLogix) | 连接端子种类: 插头 连接端子样式: SC 单式/双式: 单工 外壳色: 湖绿色 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥94.1577 |
 | MMU-FC | 太科网络 (TechLogix) | 连接端子种类: 插头 连接端子样式: FC 单式/双式: 单工 外壳色: 湖绿色 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥137.6151 |
 | MMUN2232 E32 | 创基 (CBI) | 暂无 | ¥0.1135 |
| MMUN2211 11 | 创基 (CBI) | 暂无 | ¥0.13783 |
 | MMUN2235 | 维攀微 (WPMtek) | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V | ¥0.11412 |
 | MMUN2216 | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@5mA,10V | ¥0.21824 |
MMUN2212LT1G所属分类：单个预偏置双极晶体管，MMUN2212LT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MMUN2212LT1G价格参考￥0.183245，你可以下载 MMUN2212LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MMUN2212LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
