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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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DTA143EM3T5G
DTA143EM3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.27963

7945

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,237.01600

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NSBC123TF3T5G
NSBC123TF3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123

¥3.25931

7500

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.25931

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SMMUN2213LT3G
SMMUN2213LT3G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.57236

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.57236

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MUN2141T1G
MUN2141T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

186000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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DTA113EM3T5G
DTA113EM3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.33781

400000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,702.47200

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SMMUN2211LT3G
SMMUN2211LT3G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥2.39016

4003

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.39016

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MUN2235T1G
MUN2235T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

156000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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DTC113EM3T5G
DTC113EM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.33781

271845

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,702.47200

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DTA144EET1G
DTA144EET1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.71138

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.71138

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MUN2233T1G
MUN2233T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥1.30372

393000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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DTC115TM3T5G
DTC115TM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.57669

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,613.55200

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MMUN2138LT1G
MMUN2138LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥1.30372

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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MMUN2241LT1G
MMUN2241LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.14486

414000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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MMUN2130LT1G
MMUN2130LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.28835

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,325.20500

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MMUN2136LT1G
MMUN2136LT1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.30136

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,520.32500

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MMUN2236LT1G
MMUN2236LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.14486

174000

5-7 工作日

- +

合计: ¥724.29000

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MUN2137T1G
MUN2137T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.17810

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,671.54500

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MUN2115T1G
MUN2115T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥0.14486

482700

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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DTC123TET1G
DTC123TET1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥0.19042

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,856.24000

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MUN5137T1G
MUN5137T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.19657

183000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,358.86400

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