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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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MUN2136T1G
MUN2136T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥1.81073

110856

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.81073

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MUN2232T1G
MUN2232T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59

¥0.17455

2980

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17455

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DTA143EET1G
DTA143EET1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416

¥1.44858

48565

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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SMUN5115T1G
SMUN5115T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥2.46259

8999

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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MUN5230T1G
MUN5230T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥1.81073

68804

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.81073

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DTC143EM3T5G
DTC143EM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-723

¥2.24530

23915

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.24530

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DTC114TM3T5G
DTC114TM3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723

¥0.49107

8000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.49107

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SMUN2214T1G
SMUN2214T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59

¥2.31773

5702

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.31773

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SMMUN2233LT1G
SMMUN2233LT1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.57436

4980

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.57436

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SMUN5114T1G
SMUN5114T1G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.78586

70

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.78586

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SMUN5212T1G
SMUN5212T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.58753

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.58753

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SMUN5235T1G
SMUN5235T1G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥2.45921

98

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.45921

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NSBC114EF3T5G
NSBC114EF3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123

¥0.67859

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.67859

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NSBA114YF3T5G
NSBA114YF3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123

¥0.28972

456000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,199.52387

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NSBA144WF3T5G
NSBA144WF3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123

¥0.28972

296000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,199.52387

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NSBA143ZF3T5G
NSBA143ZF3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123

¥0.28972

624000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,199.52387

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NSBC115TF3T5G
NSBC115TF3T5G
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123

¥0.67859

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,151.83250

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NSBA123TF3T5G
NSBA123TF3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123

¥0.28972

136000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,199.52387

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NSVMMUN2114LT3G
NSVMMUN2114LT3G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.31065

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,106.48000

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NSBA123JF3T5G
NSBA123JF3T5G
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123

¥0.67859

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,151.83250

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