特色
- 简化电路设计
- 减少板空间
- 减少组件数量
- 汽车和其他应用的NSV前缀需要独特的现场和控制变更要求；AEC-Q101合格和PPAP能力
- 这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR，符合RoHS标准
NSBA143EF3T5G
- 描述:晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 254毫瓦 供应商设备包装: SOT-1123
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 7592
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 8000+ | 0.43298 | 3463.84800 |
- 库存: 304000
- 单价: ¥0.28972
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,199.52
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 50 V
- 集电极最大截止电流 500nA
- 安装类别 表面安装
- 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
- 基极电阻 (R1) 4.7 kOhms
- 发射极电阻 (R2) 4.7 kOhms
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 晶体管类别 PNP-预偏
- 特征频率 -
- 最小直流增益 15@5毫安，10V
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@1毫安，10毫安
- 最大功率 254毫瓦
- 包装/外壳 SOT-1123
- 供应商设备包装 SOT-1123
NSBA143EF3T5G 产品详情
这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个具有由两个电阻器组成的单片偏置网络的单个晶体管；串联基极电阻器和基极发射极电阻器。BRT通过将这些单独的组件集成到单个设备中，从而消除了这些组件。使用快速公交系统可以降低系统成本和董事会空间。
NSBA143EF3T5G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NSBC144EDXV6T5 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563 | ¥0.28972 |
 | NSBC143ZPDXV6T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 | ¥0.43457 |
 | NSBC124XPDXV6T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 | ¥0.28972 |
 | NSBC123JPDXV6T5 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 | ¥0.28972 |
 | NSBA123JDXV6T5 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563 | ¥0.28972 |
 | NSBC114EDXV6T5 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563 | ¥0.43457 |
 | NSBC115EDXV6T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT DUAL NPN 50V SOT-563 | ¥0.28972 |
| NSBA115EDXV6T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT DUAL PNP 50V SOT-563 | ¥0.28972 |
 | NSBC124EDP6T5G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 339mW 供应商设备包装: SOT-963 | ¥0.36215 |
| NSBA143ZDXV6 | 安盛美 (onsemi) | DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS | ¥0.28972 |
NSBA143EF3T5G所属分类：单个预偏置双极晶体管，NSBA143EF3T5G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NSBA143EF3T5G价格参考￥0.289716，你可以下载 NSBA143EF3T5G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NSBA143EF3T5G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
