9icnet为您提供由东芝半导体和存储公司设计和生产的RN2118MFV（TPL3），该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RN2118MFV（TPL3）参考价格为0.27000美元。东芝半导体和存储RN2118MFV（TPL3）封装/规格：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM。您可以下载RN2118MFV（TPL3）英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RN2115MFV（TPL3）是双极晶体管-预偏置-50V 100mA 3Pin 2.2Kohms x 10Kohms，包括卷筒封装，设计用于SMD/SMT安装方式，Pd功耗如数据表注释所示，用于150mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，该器件还可以用作PNP晶体管极性。此外，发射极基极电压VEBO为-6 V，该器件提供-100 mA的连续集电极电流，该器件具有50的直流集电极基极增益hfe Min，典型输入电阻为2.2千欧姆，典型电阻比为0.22。
RN2116MFV（TPL3）是双极晶体管-预偏置-50V 100mA 3Pin 4.7Kohms x 10Kohms，包括0.47典型电阻比，它们设计用于4.7千欧姆典型输入电阻，晶体管极性显示在PNP中使用的数据表注释中，该PNP提供Pd功耗功能，如150 mW，以及SMD/SMT安装方式，其最低工作温度范围为-65℃，最高工作温度范围+150℃，该器件的发射极基极电压VEBO为-7 V，该器件具有50 V直流集电极基极增益hfe Min，连续集电极电流为-100 mA，集电极-发射极电压VCEO Max为-50 V。
RN2117MFV（TPL3）是双极晶体管-预偏置-50V 100mA 3Pin 10Kohms x 4.7Kohms，包括-50 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计为在-100 mA连续集电极电流下工作，DC集电极基极增益hfe Min如数据表注释所示，用于30，提供发射极基极电压VEBO功能，例如-15 V，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-65℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装类型。此外，包装为卷筒式，该设备提供150 mW Pd功耗，该设备具有晶体管极性的PNP，典型输入电阻为10 kΩ，典型电阻比为2.13。
