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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

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描述
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RN1105MFV,L3F(CT
RN1105MFV,L3F(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥1.30372

20650

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN2425(TE85L,F)
RN2425(TE85L,F)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥1.46741

77

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.46741

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RN2316,LF
RN2316,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.30372

8970

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN2406,LF
RN2406,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥1.30372

5820

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN2309,LF
RN2309,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.30372

6000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN2304,LF
RN2304,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.30372

5640

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN1101MFV,L3XHF(CT
RN1101MFV,L3XHF(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥2.53502

7900

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN1410,LF
RN1410,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥1.44858

17400

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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RN1105MFV,L3XHF(CT
RN1105MFV,L3XHF(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥2.53502

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN1102MFV,L3XHF(CT
RN1102MFV,L3XHF(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥2.53502

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN2315TE85LF
RN2315TE85LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.24530

12920

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.24530

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RN1414,LF
RN1414,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥0.81048

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,431.44300

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RN2306,LF
RN2306,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥0.79455

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,383.63800

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RN1408,LF
RN1408,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥0.79455

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,383.63800

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RN1114,LF
RN1114,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM

¥1.52101

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.52101

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RN1409,LF
RN1409,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥0.25452

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥763.54800

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RN2409,LF
RN2409,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥0.25452

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥763.54800

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RN1309,LF
RN1309,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥0.25452

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥763.54800

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RN2423(TE85L,F)
RN2423(TE85L,F)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥2.56181

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.56181

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RN1310(TE85L,F)
RN1310(TE85L,F)
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.88315

2618

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.88315

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