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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

久芯自营
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品牌型号
描述
价格
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操作
RN2113ACT(TPL3)
RN2113ACT(TPL3)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3

¥0.38083

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,808.32000

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RN1311,LXHF
RN1311,LXHF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.89716

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.89716

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RN1305,LXHF
RN1305,LXHF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.89716

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.89716

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RN2301,LXHF
RN2301,LXHF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.89716

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.89716

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RN1315,LXHF
RN1315,LXHF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.89716

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.89716

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RN1309,LXHF
RN1309,LXHF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.89716

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.89716

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RN2310,LXHF
RN2310,LXHF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.89716

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.89716

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RN2114(TE85L,F)
RN2114(TE85L,F)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM

¥0.91405

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.91405

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RN1308,LXHF
RN1308,LXHF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.37760

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.37760

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RN1312(TE85L,F)
RN1312(TE85L,F)
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.10044

2845

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.10044

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RN1301,LXHF
RN1301,LXHF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.36529

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.36529

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RN2415(TE85L,F)
RN2415(TE85L,F)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥2.10044

2790

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.10044

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RN2417(TE85L,F)
RN2417(TE85L,F)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥2.10044

2751

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.10044

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RN2314(TE85L,F)
RN2314(TE85L,F)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.10044

2636

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.10044

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RN2414(TE85L,F)
RN2414(TE85L,F)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥2.10044

2312

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.10044

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RN1412TE85LF
RN1412TE85LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥2.17287

1950

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.17287

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RN1101,LF(CT
RN1101,LF(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM

¥0.74457

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,233.71000

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RN2102,LF(CT
RN2102,LF(CT
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM

¥0.26487

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥794.61900

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RN2107,LF(CT
RN2107,LF(CT
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM

¥1.66587

55

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.66587

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RN2111,LF(CT
RN2111,LF(CT
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM

¥0.26487

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥794.61900

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