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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

久芯自营
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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
RN1410,LXHF
RN1410,LXHF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥2.53502

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN1113,LF(CT
RN1113,LF(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM

¥1.52101

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.52101

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RN1112(TE85L,F)
RN1112(TE85L,F)
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM

¥1.59344

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.59344

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RN1401,LF
RN1401,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥1.59344

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.59344

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RN1402,LF
RN1402,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥1.59344

4950

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.59344

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RN2305,LXHF
RN2305,LXHF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.89716

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.89716

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RN1103MFV,L3F(CT
RN1103MFV,L3F(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥1.30372

315

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN2307,LXHF
RN2307,LXHF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.89716

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.89716

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RN2108(T5L,F,T)
RN2108(T5L,F,T)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM

¥2.02801

2890

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.02801

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RN1313,LXHF
RN1313,LXHF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.89716

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.89716

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RN2303,LXHF
RN2303,LXHF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.89716

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.89716

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RN1305,LF
RN1305,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥0.33652

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.33652

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RN1103MFV(TPL3)
RN1103MFV(TPL3)
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥0.32245

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,579.63200

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RN2309,LXHF
RN2309,LXHF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.34790

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.34790

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RN2312(TE85L,F)
RN2312(TE85L,F)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.02801

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.02801

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RN2311,LXHF
RN2311,LXHF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.34790

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.34790

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RN2103(T5L,F,T)
RN2103(T5L,F,T)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM

¥2.02801

1715

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.02801

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RN1306,LXHF
RN1306,LXHF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.89716

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.89716

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RN2112ACT(TPL3)
RN2112ACT(TPL3)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3

¥0.38083

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,808.32000

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RN1316,LXHF
RN1316,LXHF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.89716

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.89716

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