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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

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品牌型号
描述
价格
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操作
RN1416,LXHF
RN1416,LXHF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥2.53502

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN2410,LXHF
RN2410,LXHF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥2.53502

0

5-7 工作日

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合计: ¥2.53502

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RN1412,LXHF
RN1412,LXHF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥2.53502

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN2415,LXHF
RN2415,LXHF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥2.53502

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN1405,LXHF
RN1405,LXHF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥2.53502

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN2401,LXHF
RN2401,LXHF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥2.53502

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN2405,LXHF
RN2405,LXHF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥2.53502

0

5-7 工作日

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合计: ¥2.53502

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RN1406,LXHF
RN1406,LXHF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥2.53502

0

5-7 工作日

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合计: ¥2.53502

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RN2407,LXHF
RN2407,LXHF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥2.53502

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN2107MFV,L3F
RN2107MFV,L3F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥1.46727

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.46727

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RN1109MFV,L3F
RN1109MFV,L3F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥1.20794

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.20794

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RN2104MFV,L3F
RN2104MFV,L3F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM

¥1.17189

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.17189

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RN2103MFV,L3F
RN2103MFV,L3F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥2.31773

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.31773

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RN2105MFV,L3F
RN2105MFV,L3F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥1.01997

9000

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合计: ¥1.01997

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