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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

久芯自营
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品牌型号
描述
价格
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操作
RN2401,LF
RN2401,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥0.48600

500

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,457.99700

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RN2402,LF
RN2402,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥0.28255

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥847.63800

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RN2110,LF(CT
RN2110,LF(CT
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM

¥1.66587

4475

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.66587

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RN2403,LF
RN2403,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥0.48600

300

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,457.99700

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RN2405,LF
RN2405,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥0.28255

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥847.63800

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RN2104(T5L,F,T)
RN2104(T5L,F,T)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM

¥2.02801

742

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.02801

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RN1116(TE85L,F)
RN1116(TE85L,F)
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM

¥2.02801

473

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.02801

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RN2317(TE85L,F)
RN2317(TE85L,F)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.10044

962

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.10044

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RN1318(TE85L,F)
RN1318(TE85L,F)
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.10044

545

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.10044

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RN1413(TE85L,F)
RN1413(TE85L,F)
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥2.10044

115

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.10044

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RN2103ACT(TPL3)
RN2103ACT(TPL3)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3

¥0.38083

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,808.32000

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RN2105ACT(TPL3)
RN2105ACT(TPL3)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3

¥0.38083

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,808.32000

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RN2106ACT(TPL3)
RN2106ACT(TPL3)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3

¥0.38083

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,808.32000

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RN2110ACT(TPL3)
RN2110ACT(TPL3)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3

¥0.38083

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,808.32000

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RN2111ACT(TPL3)
RN2111ACT(TPL3)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3

¥0.38083

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,808.32000

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RN1104T5LFT
RN1104T5LFT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM

¥2.75230

533

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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RN1402S,LF
RN1402S,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥0.85487

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.85487

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RN1113ACT(TPL3)
RN1113ACT(TPL3)
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3

¥2.46259

9990

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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RN1110ACT(TPL3)
RN1110ACT(TPL3)
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3

¥2.46259

9980

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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RN2109ACT(TPL3)
RN2109ACT(TPL3)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3

¥2.46259

9900

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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